Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 60 A, 650 V 176 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6639
Herst. Teile-Nr.:
IHW30N65R5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

60A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

176W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.7V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

Resonant Switching

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

5.21mm

Länge

42mm

Automobilstandard

Nein

Der reversierende bipolare Transistor der Infineon Resonanzschalter-Serie mit isolierter Gate-Isolierung und monolithischer Gehäusediode.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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