Teile-Nr.

Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3

RS Best.-Nr.:: 215-6611
Herst. Teile-Nr.:: AIGW50N65F5XKSA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.12.202

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 07. Mai 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	CHF.6.101	CHF.12.20
10 - 18	CHF.5.796	CHF.11.59
20 - 48	CHF.5.303	CHF.10.61
50 - 98	CHF.4.578	CHF.9.15
100 +	CHF.3.717	CHF.7.43

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 215-6611
Herst. Teile-Nr.:: AIGW50N65F5XKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	650 V
	Gate-Source Spannung max.	±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max.	270 W
	Gehäusegröße	PG-TO247-3
	Pinanzahl	3

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 80 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 650 V
	Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V
	Verlustleistung max. 270 W
	Gehäusegröße PG-TO247-3
	Pinanzahl 3

Datasheet-AIGW50N65F5XKSA1

Der Infineon 3-polige Hochgeschwindigkeits-Transistor mit isoliertem Gate-Bipolar.

Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen

Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3

Verwandte Links

Recently viewed