Infineon IGBT / 80 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO247-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6611
- Herst. Teile-Nr.:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 215-6611
- Herst. Teile-Nr.:
- AIGW50N65F5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30 V | |
| Verlustleistung max. | 270 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO247-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V | ||
Verlustleistung max. 270 W | ||
Gehäusegröße PG-TO247-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der Infineon 3-polige Hochgeschwindigkeits-Transistor mit isoliertem Gate-Bipolar.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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