Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 75 A, 650 V 395 W, 3-Pin PG-TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 249-6945
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW75N65RH5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 249-6945
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW75N65RH5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 395W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 41.9mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 395W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 41.9mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon TRENCHSTOP 5S5 IGBT ist mit einer Cool SiCTMS Schottky Sperrdiode der 6. Generation ausgestattet. Äußerst geringe Schaltverluste dank der Kombination aus TRENCHSTOPTM5- und CoolSiCTM-Technologie . Benchmark-Effizienz in festen Schalttopologien. Plug-and-play-Ersatz für reine Siliziumgeräte. Die maximale Sperrschichttemperatur beträgt 175 °C
Industrielle Netzteile – Industrielle Schaltnetzteile (SMPS)
Energieerzeugung
Wechselrichter für Solarenergie
Energieverteilung – Energiespeicherung
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