Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
215-6609
Herst. Teile-Nr.:
AIGW40N65H5XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

74A

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.66V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Normen/Zulassungen

AEC-Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate und hoher Geschwindigkeit der H5-Technologie von Infineon bietet einen erstklassigen Wirkungsgrad in harten Schalt- und Resonanztopologien.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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