Semikron IGBT-Modul / 1,1 kA 20V max., 1200 V, 11-Pin SEMiX®3p N-Kanal

Dual-IGBT-Module von Semikron in modernen, flachen SEMiX®-Gehäusen, die für Halbbrücken-Leistungssteuerungsanwendung geeignet sind. Die Module verwenden lötfreie Feder- oder Presssitz-Kontakte, sodass ein Gate-Treiber direkt an der Oberseite des Moduls montiert werden kann, was Platz spart und größere Anschlusszuverlässigkeit bietet. Typische Anwendungen umfassen AC-Frequenzumrichter, USV, elektronisches Schweißen und erneuerbare Energiesysteme.
Geeignete Presssitz-Gate-Treibermodule siehe 122-0385 bis 122-0387

• Flaches, lötfreies Montagegehäuse
• IGBTs mit Trenchgate-Technologie
• Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung hat positiven Temperaturkoeffizienten
• Hohe Kurzschlussstrombelastbarkeit
• Presssitz-Stifte als Hilfskontakte
• UL-Zulassung

IGBT-Module, Semikron

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.