Semikron Danfoss IGBT-Modul / 470 A, 1200 V, 7-Pin SEMITRANS Typ N-Kanal Panel

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.360.762

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 7 Einheit(en) mit Versand ab 01. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 1CHF.360.76
2 - 4CHF.342.72
5 - 9CHF.325.77
10 - 19CHF.309.55
20 +CHF.294.39

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
468-2527
Distrelec-Artikelnummer:
171-00-315
Herst. Teile-Nr.:
SKM400GB126D
Marke:
Semikron Danfoss
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Semikron Danfoss

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

470A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

SEMITRANS

Montageart

Panel

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

7

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.1V

Maximale Betriebstemperatur

-40°C

Serie

SKM400GB126D

Normen/Zulassungen

No

Länge

106.4mm

Höhe

30.5mm

Automobilstandard

Nein

Duale IGBT-Module


Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.

Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse

Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet

Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung

IGBT-Module, Semikron


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.