Semikron Danfoss IGBT-Modul / 200 A, 1200 V, 3-Pin SEMITRANS Typ N-Kanal Panel

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RS Best.-Nr.:
468-2454
Herst. Teile-Nr.:
SKM200GB125D
Marke:
Semikron Danfoss
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Marke

Semikron Danfoss

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

200A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

SEMITRANS

Montageart

Panel

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

3.85V

Maximale Betriebstemperatur

-40°C

Höhe

30.5mm

Breite

61.4 mm

Länge

106.4mm

Serie

SKM200GB125D

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Duale IGBT-Module


Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.

Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse

Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet

Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung

IGBT-Module, Semikron


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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