onsemi Feldstopp-IGBT / 80 A, 600 V 290 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 124-1334
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40N60SFDTU
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.2.814 | CHF.84.48 |
| 60 - 120 | CHF.2.73 | CHF.81.96 |
| 150 - 270 | CHF.2.646 | CHF.79.44 |
| 300 + | CHF.2.531 | CHF.76.04 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-1334
- Herst. Teile-Nr.:
- FGH40N60SFDTU
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Produkt Typ | Feldstopp-IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 290W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 25ns | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.3V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | Field Stop | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Produkt Typ Feldstopp-IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 290W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 25ns | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.3V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie Field Stop | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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