Infineon IGBT / 50 A, 1200 V 326 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 165-8131
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW25N120H3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.113.10
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.3.77 | CHF.113.02 |
| 60 - 120 | CHF.3.581 | CHF.107.35 |
| 150 + | CHF.3.423 | CHF.102.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-8131
- Herst. Teile-Nr.:
- IKW25N120H3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 326W | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Pb-free lead plating, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Energie | 4.3mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 326W | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.7V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Pb-free lead plating, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Energie 4.3mJ | ||
- Ursprungsland:
- MY
TrenchStop-IGBT-Transistoren von Infineon, 1100–1600 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 1100 bis 1600 V mit TrenchStop™-Technologie. Die Serie umfasst Geräte mit integrierter antiparallel geschalteter Hochgeschwindigkeitsdiode mit kurzer Erholzeit.
• Kollektor-Emitter-Spannung von 1100 bis 1600 V
• Sehr geringer VCEsat
• Geringe Abschaltverluste
• Kurzer Endstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur: 175 °C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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