Infineon IGBT / 8 A ±20V max. , 1200 V 106 W, 3-Pin To-247-3 N-Kanal
- RS Stock No.:
- 232-6723
- Mfr. Part No.:
- IKW08N120CS7XKSA1
- Brand:
- Infineon
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- RS Stock No.:
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- Mfr. Part No.:
- IKW08N120CS7XKSA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 8 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 106 W | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | To-247-3 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 8 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 106 W | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße To-247-3 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Der 8-A-Trenchstop-IGBT7-S7-diskret von Infineon wird in TO-247-Gehäuse mit EC7-Diode im Inneren geliefert. Es bietet einen niedrigen VCEsat, um sehr niedrige Leitungsverluste in Zielanwendungen zu erreichen, und die kogepackte, sehr weiche und schnelle Emitter-gesteuerte Diode hilft, Schaltverluste zu minimieren, die zu insgesamt niedrigen Gesamtverlusten beitragen. Mögliche Anwendungen umfassen industrielle Antriebe, industrielle Netzteile und Solarwechselrichter.
Gute Steuerbarkeit
Voll ausgelegte Freilaufdiode mit verbesserter Weichheit
Höhere Leistungsdichte ohne Kühlkörper-Redesign
Einfache Bauweise zur Erfüllung der EMI-Anforderungen
Voll ausgelegte Freilaufdiode mit verbesserter Weichheit
Höhere Leistungsdichte ohne Kühlkörper-Redesign
Einfache Bauweise zur Erfüllung der EMI-Anforderungen
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