Infineon IGBT / 8 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.7.616

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 194 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8CHF.3.808CHF.7.62
10 - 18CHF.3.505CHF.7.01
20 - 48CHF.3.272CHF.6.55
50 - 98CHF.3.05CHF.6.10
100 +CHF.2.808CHF.5.63

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
232-6724
Herst. Teile-Nr.:
IKW08N120CS7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

8A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

1

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

21.5mm

Höhe

5.3mm

Normen/Zulassungen

JEDEC47/20/22

Serie

IKW08N120CS7

Breite

16.3 mm

Automobilstandard

Nein

Der 8-A-Trenchstop-IGBT7-S7-diskret von Infineon wird in TO-247-Gehäuse mit EC7-Diode im Inneren geliefert. Es bietet einen niedrigen VCEsat, um sehr niedrige Leitungsverluste in Zielanwendungen zu erreichen, und die kogepackte, sehr weiche und schnelle Emitter-gesteuerte Diode hilft, Schaltverluste zu minimieren, die zu insgesamt niedrigen Gesamtverlusten beitragen. Mögliche Anwendungen umfassen industrielle Antriebe, industrielle Netzteile und Solarwechselrichter.

Gute Steuerbarkeit

Voll ausgelegte Freilaufdiode mit verbesserter Weichheit

Höhere Leistungsdichte ohne Kühlkörper-Redesign

Einfache Bauweise zur Erfüllung der EMI-Anforderungen

Verwandte Links