IXYS IGBT-Modul / 360 A ±30V max., 1200 V 1100 W, 11-Pin SimBus F N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-4565
- Herst. Teile-Nr.:
- MIXA225PF1200TSF
- Marke:
- IXYS
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- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 360 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V | |
| Verlustleistung max. | 1100 W | |
| Konfiguration | Dual | |
| Gehäusegröße | SimBus F | |
| Montage-Typ | PCB-Montage | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 11 | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Abmessungen | 152 x 62 x 17mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 360 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30V | ||
Verlustleistung max. 1100 W | ||
Konfiguration Dual | ||
Gehäusegröße SimBus F | ||
Montage-Typ PCB-Montage | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 11 | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Abmessungen 152 x 62 x 17mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
- Ursprungsland:
- DE
IGBT-Module IXYS
IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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