STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 168-6464
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW20NC60VD
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.60.18
Auf Lager
- 360 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | CHF.2.006 | CHF.60.10 |
| 90 - 480 | CHF.1.869 | CHF.56.07 |
| 510 - 960 | CHF.1.817 | CHF.54.62 |
| 990 + | CHF.1.775 | CHF.53.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-6464
- Herst. Teile-Nr.:
- STGW20NC60VD
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 60 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 15.75 x 5.15 x 20.15mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 60 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 15.75 x 5.15 x 20.15mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
IGBT, diskret, STMicroelectronics
IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 260 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 200 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 375 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 120 A ±20V max., 600 V 469 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 20 A ±20V max., 600 V 167 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 167 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 283 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal