STMicroelectronics IGBT ±30V max. , 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 201-4417
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | CHF.2.10 | CHF.62.97 |
| 120 - 240 | CHF.1.88 | CHF.56.32 |
| 270 - 480 | CHF.1.827 | CHF.54.84 |
| 510 - 990 | CHF.1.785 | CHF.53.46 |
| 1020 + | CHF.1.733 | CHF.52.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 201-4417
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 167 W | |
| Gehäusegröße | To-247 lange Leitungen | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Serie | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 167 W | ||
Gehäusegröße To-247 lange Leitungen | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Serie | ||
Der STMicroelectronics Trench Gate Feldanschlag, 650 V, 30 A, Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie HB2 in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen, hat einen positiven VCE(sat)-Temperaturkoeffizienten.
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
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