STMicroelectronics IGBT / 50 A, 650 V 167 W, 3-Pin To-247 LL Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 201-4418
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.15.35
Auf Lager
- 420 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.3.07 | CHF.15.33 |
| 10 + | CHF.2.565 | CHF.12.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 201-4418
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA30HP65FB2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 167W | |
| Gehäusegröße | To-247 LL | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Schaltgeschwindigkeit | 1MHz | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 15.9mm | |
| Breite | 21.1 mm | |
| Serie | STG | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 167W | ||
Gehäusegröße To-247 LL | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Schaltgeschwindigkeit 1MHz | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 15.9mm | ||
Breite 21.1 mm | ||
Serie STG | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der STMicroelectronics Trench Gate Feldanschlag, 650 V, 30 A, Hochgeschwindigkeits-IGBT der Serie HB2 in einem TO-247-Gehäuse mit langen Leitungen, hat einen positiven VCE(sat)-Temperaturkoeffizienten.
Minimierter Endstrom
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Verwandte Links
- STMicroelectronics IGBT ±30V max. , 650 V 167 W, 3-Pin To-247 lange Leitungen N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 167 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics IGBT / 40 A, 600 V 167 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT / 54 A, 600 V 167 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- STMicroelectronics IGBT, 650 V 469 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- onsemi IGBT / 60 A ±30V max. , 650 V 333 W, 3-Pin TO-247 G03 P-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 80 A ±30V max. , 1200 V 536 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 119 A ±20V max. , 650 V 576 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal