Infineon IGBT / 96 A ±20V max., 600 V, 3-Pin TO-247AC N-Kanal

Dieser IGBT ist ein bipolarer Transistor mit isoliertem Gate, der für Hochleistungsanwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Mit seinen kompakten Abmessungen von 15,9 x 5,3 x 20,3 mm unterstützt das Bauteil ein effizientes elektronisches Schaltungsdesign und bewältigt gleichzeitig hohe Stromlasten. Er ist für den zuverlässigen Einsatz in verschiedenen elektrischen Systemen optimiert und gewährleistet eine robuste Funktion unter schwierigen Bedingungen.

• Niedrige VCE(on) ermöglicht effiziente Energieumwandlung
• Arbeitet mit einer maximalen Nennspannung von 600 V
• Geringe Schaltverluste verbessern die Gesamteffizienz des Systems
• Ultra-schnelle Soft-Recovery-Diode erhöht die Zuverlässigkeit der Leistung
• Ausgelegt für hohe Temperaturen bis zu 175 °C für Langlebigkeit

• Verwendet für Motorantriebssteuerungen und Wechselrichter
• Ideal für Stromversorgungsschaltungen in industriellen Komponenten
• Geeignet für Systeme zur Nutzung erneuerbarer Energien wie Solar-Wechselrichter
• Effektiv in Automation und Robotik für effizientes Energiemanagement

Der IGBT kann einen kontinuierlichen Kollektorstrom von 96 A liefern und eignet sich damit für anspruchsvolle Anwendungen, die eine hohe Leistungsübertragung bei gleichbleibender Effizienz erfordern.

Die maximale Nennspannung stellt sicher, dass der Transistor in Hochspannungsanwendungen effektiv arbeiten kann, und bietet sicheren Spielraum für Spannungsspitzen und -schwankungen in Leistungselektroniksystemen.

Mit einem Wärmewiderstand von 0,45 °C/W wird die Wärmeableitung optimiert, so dass ein stabiler Betrieb ohne Überhitzung möglich ist, was die Zuverlässigkeit bei längerem Gebrauch erhöht.

Ja, sein Design ermöglicht eine hervorragende Stromaufteilung im Parallelbetrieb, was für Hochstromanwendungen, bei denen mehrere Geräte zusammen verwendet werden können, von entscheidender Bedeutung ist.

IGBT-Transistoren, International Rectifier

International Rectifier bietet ein umfassendes IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode)-Portfolio von 300 V bis 1200 V auf der Basis verschiedener Technologien, die die Schalt- und Leitungsverluste verringern und so die Effizienz steigern, thermische Probleme beseitigen und die Leistungsdichte verbessern. Das Unternehmen bietet außerdem eine breite Auswahl an IGBT-Matrizen, die eigens für Mittel- bis Hochleistungsmodule entwickelt wurden. Für Module, die ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit verlangen, können Matrizen mit lötbarem Metall an der Vorderseite (SFM, Solderable Front Metal) verwendet werden, um auf Bonddrähte zu verzichten und doppelseitige Kühlung für verbesserte Wärmeleistung, Zuverlässigkeit und Effizienz zu ermöglichen.