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    Infineon N-Kanal IGBT IRG4PF50WPBF, 900 V 51 A, TO-247AC 3-Pin Einfach

    RS Best.-Nr.:
    541-2060
    Herst. Teile-Nr.:
    IRG4PF50WPBF
    Marke:
    Infineon
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    Produktdetails

    Einfach-IGBT über 21 A, Infineon


    Optimierte IGBT für Anwendungen mittlerer Frequenzen mit schnellem Ansprechen bieten dem Benutzer die höchste verfügbare Effizienz. Verwendung von FRED-Dioden optimiert die beste Leistung mit IGBTs



    IGBT-Transistoren, International Rectifier


    International Rectifier bietet ein umfassendes IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode)-Portfolio von 300 V bis 1200 V auf der Basis verschiedener Technologien, die die Schalt- und Leitungsverluste verringern und so die Effizienz steigern, thermische Probleme beseitigen und die Leistungsdichte verbessern. Das Unternehmen bietet außerdem eine breite Auswahl an IGBT-Matrizen, die eigens für Mittel- bis Hochleistungsmodule entwickelt wurden. Für Module, die ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit verlangen, können Matrizen mit lötbarem Metall an der Vorderseite (SFM, Solderable Front Metal) verwendet werden, um auf Bonddrähte zu verzichten und doppelseitige Kühlung für verbesserte Wärmeleistung, Zuverlässigkeit und Effizienz zu ermöglichen.


    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Dauer-Kollektorstrom max.51 A
    Kollektor-Emitter-900 V
    Gate-Source Spannung max.±20V
    GehäusegrößeTO-247AC
    Montage-TypDurchsteckmontage
    Channel-TypN
    Pinanzahl3
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Abmessungen15.9 x 5.3 x 20.3mm
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Betriebstemperatur max.+150 °C
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