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    Infineon IRG4PF50WDPBF THT N-Kanal IGBT, 900 V / 51 A, 3-Pin TO-247AC

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    IRG4PF50WDPBF
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    Infineon
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    Co-Pack-IGBT über 21 A, Infineon


    Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (Isolated Gate Bipolar Transistor, IGBT) von Infineon bieten dem Benutzer eine umfassende Auswahl von Optionen, um sicherzustellen, dass Ihre Anwendung durchgeführt werden kann. Durch ihren hohen Wirkungsgrad können diese IGBT in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden und können dank niedriger Schaltverluste verschiedene Schaltfrequenzen unterstützen


    IGBT verbaut mit antiparallel geschalteter Diode mit ultraschneller Wiederherstellung für den Einsatz in Brückenkonfigurationen



    IGBT-Transistoren, International Rectifier


    International Rectifier bietet ein umfassendes IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode)-Portfolio von 300 V bis 1200 V auf der Basis verschiedener Technologien, die die Schalt- und Leitungsverluste verringern und so die Effizienz steigern, thermische Probleme beseitigen und die Leistungsdichte verbessern. Das Unternehmen bietet außerdem eine breite Auswahl an IGBT-Matrizen, die eigens für Mittel- bis Hochleistungsmodule entwickelt wurden. Für Module, die ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit verlangen, können Matrizen mit lötbarem Metall an der Vorderseite (SFM, Solderable Front Metal) verwendet werden, um auf Bonddrähte zu verzichten und doppelseitige Kühlung für verbesserte Wärmeleistung, Zuverlässigkeit und Effizienz zu ermöglichen.


    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Dauer-Kollektorstrom max.51 A
    Kollektor-Emitter-Spannung900 V
    Gate-Source Spannung max.±20V
    GehäusegrößeTO-247AC
    Montage-TypTHT
    Channel-TypN
    Pinanzahl3
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Abmessungen15.9 x 5.3 x 20.3mm
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Betriebstemperatur min.-55 °C
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