onsemi IGBT / 50 A ±30.0V max. 30-fach, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 202-5672
- Herst. Teile-Nr.:
- AFGHL50T65SQ
- Marke:
- onsemi
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CHF.1’016.10
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 450 + | CHF.2.258 | CHF.1’016.35 |
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5672
- Herst. Teile-Nr.:
- AFGHL50T65SQ
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 50 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30.0V | |
| Verlustleistung max. | 268 W | |
| Anzahl an Transistoren | 30 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 50 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30.0V | ||
Verlustleistung max. 268 W | ||
Anzahl an Transistoren 30 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Der on Semiconductor Field Stop Trench IGBT bietet die optimale Leistung für harte und weiche Schalttopologien in der Automobilindustrie. Es handelt sich um einen eigenständigen IGBT.
AEC-Q101-qualifiziert
Hohe Strombelastbarkeit
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameterverteilung
RoHS-konform
Hohe Strombelastbarkeit
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Enge Parameterverteilung
RoHS-konform
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