onsemi IGBT / 50 A, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 450 Stück)*

CHF.977.40

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 20. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
450 +CHF.2.172CHF.977.63

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
202-5672
Herst. Teile-Nr.:
AFGHL50T65SQ
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

50A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

268W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±3 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Serie

Trench

Automobilstandard

AEC-Q101

Der on Semiconductor Field Stop Trench IGBT bietet die optimale Leistung für harte und weiche Schalttopologien in der Automobilindustrie. Es handelt sich um einen eigenständigen IGBT.

AEC-Q101-qualifiziert

Hohe Strombelastbarkeit

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Enge Parameterverteilung

RoHS-konform

Verwandte Links