onsemi IGBT / 80 A, 650 V 268 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
202-5674
Herst. Teile-Nr.:
AFGHL50T65SQD
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

80A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

268W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±3 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Serie

AFGHL50T65SQD

Automobilstandard

AEC-Q101

Der on Semiconductor Field Stop Trench IGBT bietet die optimale Leistung für harte und weiche Schalttopologien in der Automobilindustrie. Es handelt sich um einen eigenständigen IGBT.

AEC-Q101-qualifiziert

Hohe Strombelastbarkeit

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Enge Parameterverteilung

RoHS-konform

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