Infineon IGBT / 74 A ±20 V, ±30 V max., 650 V 250 W, 3-Pin PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6663
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP40N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.919 | CHF.14.61 |
| 25 - 45 | CHF.2.426 | CHF.12.12 |
| 50 - 120 | CHF.2.363 | CHF.11.79 |
| 125 - 245 | CHF.2.30 | CHF.11.48 |
| 250 + | CHF.2.237 | CHF.11.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6663
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP40N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 74 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V, ±30 V | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 74 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V, ±30 V | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der bipolare Zweitack-Transistor und die Diode der Infineon 650v-Serie mit isoliertem Gate der fünften Generation
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
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