Infineon IGBT / 40 A, 650 V 250 W TO-220 Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 258-0989
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP40N65F5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 3.02 | CHF 6.04 |
| 20 - 48 | CHF 2.565 | CHF 5.13 |
| 50 - 98 | CHF 2.384 | CHF 4.78 |
| 100 - 198 | CHF 2.232 | CHF 4.46 |
| 200 + | CHF 2.06 | CHF 4.11 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0989
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP40N65F5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 250W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Länge | 29.95mm | |
| Breite | 10.36mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 250W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Länge 29.95mm | ||
Breite 10.36mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der hartschaltbare TRENCHSTOP 5 IGBT von Infineon, 650 V, 40 A, diskret in TO-247-Gehäuse für hohe Effizienzanforderungen. Bester Wirkungsgrad in der Klasse, was zu einer niedrigeren Anschluss- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt.
00 mV Reduzierung in V CE(sat)
Niedriger C OES/E OSS
Leichter positiver Temperaturkoeffizient V CE(sat)
Temperaturstabilität von V f
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