Infineon IGBT-Modul / 30 A, 650 V 105 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 259-1531
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP15N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.293 | CHF.4.59 |
| 20 - 48 | CHF.1.899 | CHF.3.81 |
| 50 - 98 | CHF.1.788 | CHF.3.58 |
| 100 - 198 | CHF.1.646 | CHF.3.29 |
| 200 + | CHF.1.535 | CHF.3.07 |
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- RS Best.-Nr.:
- 259-1531
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP15N65H5XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 105W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 105W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon-Hochgeschwindigkeits-Schalterserie der fünften Generation bietet Hochgeschwindigkeits-H5-Technologie. Es ist ein Plug-and-Play-Ersatz für IGBTs der vorherigen Generation und ist gemäß JEDEC für Zielanwendungen qualifiziert.
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