Infineon IGBT / 15 A, 650 V 105 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-0983
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB15N65S5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 258-0983
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB15N65S5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 15A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 105W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.35V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 15A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 105W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.35V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Hochgeschwindigkeits-Schaltgerät TRENCHSTOP 5-Zoll-D2Pak-Gehäuse mit 650 V, 15 A von Infineon ist ein einfaches IGBT für Anwendungen, die zwischen 10 kHz und 40 kHz umschalten, um einen hohen Wirkungsgrad, eine schnellere Zeit bis zur Markteinführung, eine Reduzierung der Komplexität des Schaltkreisdesigns und eine Optimierung der Leiterplatten-Materialkosten zu bieten.
Keine Gate-Klemmkomponenten erforderlich
Gate-Treiber mit Miller-Klemme sind nicht erforderlich
Reduzierung der EMI-Filterung erforderlich
Ausgezeichnet für Parallelmontage
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 15 A, 650 V 105 W TO-263
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 650 V 105 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT-Modul / 30 A, 650 V 105 W TO-220
- Infineon IGBT / 50 A, 650 V 270 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT / 40 A, 650 V 125 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 80 A, 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT-Modul / 4.7 A 65 W TO-263
- Infineon IGBT / 30 A, 650 V 105 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
