Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 650 V 105 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 215-6648
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.12.93
Auf Lager
- Zusätzlich 920 Einheit(en) mit Versand ab 13. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.586 | CHF.12.91 |
| 25 - 45 | CHF.2.323 | CHF.11.63 |
| 50 - 120 | CHF.2.172 | CHF.10.85 |
| 125 - 245 | CHF.2.01 | CHF.10.07 |
| 250 + | CHF.1.858 | CHF.9.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6648
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB15N65EH5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 30A | |
| Produkt Typ | IGBT-Einzel-Transistor-IC | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 105W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 30A | ||
Produkt Typ IGBT-Einzel-Transistor-IC | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 105W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der bipolare Infineon Hochgeschwindigkeits-Schalttransistor mit isoliertem Gate, der mit einer Rapid-1-Antiparalleldiode mit vollem Nennstrom kopakt ist, hat außerdem eine Durchschlagsspannung von 650 V.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Verwandte Links
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 650 V 105 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 79 A, 650 V 230 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 28 A, 650 V 130 W TO-220
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 75 A, 650 V 395 W, 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 80 A, 650 V 270 W, 3-Pin TO-247 Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 90 A, 600 V 333 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche