Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 90 A, 600 V 333 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
215-6629
Herst. Teile-Nr.:
IGB50N60TATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Einzel-Transistor-IC

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

90A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.5V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Serie

TRENCHSTOPTM

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC1

Automobilstandard

Nein

Der Infineon verlustarme bipolare Transistor mit isoliertem Gate in Trenchstop- und Fieldstop-Technologie.

Hoher Wirkungsgrad

Niedrige Schaltverluste

Erhöhte Zuverlässigkeit

Geringe elektromagnetische Störungen

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