Infineon IGBT / 7,5 A 20V max. , 600 V 6,8 W PG-SOT223-3
- RS Best.-Nr.:
- 240-8531
- Herst. Teile-Nr.:
- IKN04N60RC2ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.641 | CHF.3.22 |
| 50 - 120 | CHF.0.557 | CHF.2.77 |
| 125 - 245 | CHF.0.515 | CHF.2.58 |
| 250 - 495 | CHF.0.483 | CHF.2.42 |
| 500 + | CHF.0.441 | CHF.2.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 240-8531
- Herst. Teile-Nr.:
- IKN04N60RC2ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 7,5 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 6,8 W | |
| Gehäusegröße | PG-SOT223-3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 7,5 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. 20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 6,8 W | ||
Gehäusegröße PG-SOT223-3 | ||
Der Infineon RC Drives 2 600 V, 1 A IGBT Discrete in PG-SOT-223-Gehäuse. Der RC-D2 mit der monolithisch integrierten Diode bietet Verbesserungen bei Leistung, Steuerbarkeit und Zuverlässigkeit im Vergleich zum RC-DF. Er bietet geringe Schaltverluste zu einem konkurrenzfähigen Preis und ist so geeignet für die Entwicklung von Produkten – Drop-in-SMD-Ersatz in DPAK und SOT-223 mit hoher Systemzuverlässigkeit.
Verbesserte Steuerbarkeit
Betriebsbereich von 1 bis 20 kHz
Feuchtigkeitsbeständiges Design
Maximale Verbindungstemperatur von 150° C
Kurzschlusskapazität von 3 μs
Sehr enge Parameterverteilung
Bleifreie Leiterbeschichtung, RoHS-konform
Vollständiges Produktspektrum und SPICE-Modelle
Betriebsbereich von 1 bis 20 kHz
Feuchtigkeitsbeständiges Design
Maximale Verbindungstemperatur von 150° C
Kurzschlusskapazität von 3 μs
Sehr enge Parameterverteilung
Bleifreie Leiterbeschichtung, RoHS-konform
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