Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO263-3
- RS Best.-Nr.:
- 215-6619
- Herst. Teile-Nr.:
- AIKW50N60CTXKSA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.118.44
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF.3.948 | CHF.118.54 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-6619
- Herst. Teile-Nr.:
- AIKW50N60CTXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 80 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 250 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 80 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 250 W | ||
Gehäusegröße PG-TO263-3 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der bipolare Transistor mit isoliertem Gate und weicher, schneller Erholung und antiparalleler Emitter-gesteuerter Diode von Infineon Fieldstop.
Hoher Wirkungsgrad
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Schaltverluste
Erhöhte Zuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max., 600 V 250 W, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IGBT / 90 A ±20V max., 600 V 333 W, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IGBT / 26 A ±20V max., 600 V 130 W, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IGBT / 60 A +/-20V max. , 600 V 187 W, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IGBT / 41 A +/-20V max. , 600 V 166 W, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IGBT / 40 A +/-20V max. , 600 V 170 W, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IGBT 105 W PG-TO263-3
- Infineon IGBT ±20V max., 600 V PG-TO252-3