Infineon IGBT / 15 A, 650 V 105 W TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-0982
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB15N65S5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 1000 - 1000 | CHF 0.626 | CHF 631.25 |
| 2000 + | CHF 0.596 | CHF 599.94 |
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- RS Best.-Nr.:
- 258-0982
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB15N65S5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 15A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 105W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.35V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 15A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 105W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.35V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Hochgeschwindigkeits-Schaltgerät TRENCHSTOP 5-Zoll-D2Pak-Gehäuse mit 650 V, 15 A von Infineon ist ein einfaches IGBT für Anwendungen, die zwischen 10 kHz und 40 kHz umschalten, um einen hohen Wirkungsgrad, eine schnellere Zeit bis zur Markteinführung, eine Reduzierung der Komplexität des Schaltkreisdesigns und eine Optimierung der Leiterplatten-Materialkosten zu bieten.
Keine Gate-Klemmkomponenten erforderlich
Gate-Treiber mit Miller-Klemme sind nicht erforderlich
Reduzierung der EMI-Filterung erforderlich
Ausgezeichnet für Parallelmontage
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