Infineon IGBT / 80 A 20V max. , 650 V 270 W, 3-Pin TO-263 N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
218-4389
Herst. Teile-Nr.:
IGB50N65H5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

80 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

270 W

Gehäusegröße

TO-263

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Die Infineon Trenchstop IGBT5-Technologie definiert den klassenbesten IGBT neu, was zu einer niedrigeren Verbindungs- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt, indem sie eine unübertroffene Leistung in Bezug auf Effizienz für harte Schaltanwendungen bietet. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V und einen Kollektorstrom von 80 A.

Höhere Leistungsdichte
50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit einzugehen
Leichter positiver Temperaturkoeffizient

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