Infineon IGBT / 50 A, 650 V 270 W, 3-Pin TO-263 N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 218-4390
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB50N65H5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (5 Stück, in einer Packung mit 5)*
CHF 16.87
Vorübergehend ausverkauft
- 2'970 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 3.373 | CHF 16.85 |
| 25 - 45 | CHF 3.03 | CHF 15.15 |
| 50 - 120 | CHF 2.828 | CHF 14.16 |
| 125 - 245 | CHF 2.626 | CHF 13.15 |
| 250 + | CHF 2.424 | CHF 12.13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-4390
- Herst. Teile-Nr.:
- IGB50N65H5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 50A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 270W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 ±30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.65V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.45mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Länge | 10.31mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 50A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 270W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 ±30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.65V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.45mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC47/20/22 | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Länge 10.31mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon Trenchstop IGBT5-Technologie definiert den klassenbesten IGBT neu, was zu einer niedrigeren Verbindungs- und Gehäusetemperatur führt, was zu einer höheren Gerätezuverlässigkeit führt, indem sie eine unübertroffene Leistung in Bezug auf Effizienz für harte Schaltanwendungen bietet. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 650 V und einen Kollektorstrom von 80 A.
Höhere Leistungsdichte
50-V-Erhöhung der Busspannung möglich, ohne Kompromisse bei der Zuverlässigkeit einzugehen
Leichter positiver Temperaturkoeffizient
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 50 A, 650 V 270 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT / 80 A, 650 V 270 W, 3-Pin PG-TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT / 40 A, 650 V 125 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 15 A, 650 V 105 W TO-263
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 74 A, 650 V 250 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 79 A, 650 V 230 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 30 A, 650 V 105 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT / 34 A, 600 V 100 W TO-263 Typ N-Kanal