Infineon IGBT-Transistormodul PG-TO263-7

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*

CHF.2’184.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
1000 +CHF.2.184CHF.2’179.80

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-3756
Herst. Teile-Nr.:
IMBG120R350M1HXTMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Der 350-mΩ-SiC-MOSFET CoolSiC1200 V von Infineon in einem D2PAK-7L-Gehäuse basiert auf einem hochmodernen Trennhalbleiterprozess, der optimiert ist, um Leistung mit Zuverlässigkeit im Betrieb zu kombinieren. Die niedrigen Leistungsverluste der CoolSiC-Technologie in Kombination mit der XT-Verbindungstechnologie in einem neuen 1200-V-optimierten SMD-Gehäuse ermöglichen höchste Effizienz und passives Kühlpotenzial in Anwendungen wie Laufwerken, Ladegeräten und industriellen Netzteilen.

Sehr niedrige Schaltverluste
Kurzschlussbeständigkeit: 3 μs
Vollständig steuerbar dV/dt
Effizienzverbesserung
Ermöglicht höhere Frequenz
Erhöhte Leistungsdichte

Verwandte Links