Infineon IGBT-Transistormodul / 24 A ±20V max. Triple, 600 V 110 W PG-TO-220-3
- RS Best.-Nr.:
- 259-1529
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP10N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.775 | CHF.8.88 |
| 50 - 120 | CHF.1.523 | CHF.7.63 |
| 125 - 245 | CHF.1.439 | CHF.7.19 |
| 250 - 495 | CHF.1.334 | CHF.6.67 |
| 500 + | CHF.1.229 | CHF.6.12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 259-1529
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP10N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 24 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 110 W | |
| Anzahl an Transistoren | 3 | |
| Gehäusegröße | PG-TO-220-3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 24 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 110 W | ||
Anzahl an Transistoren 3 | ||
Gehäusegröße PG-TO-220-3 | ||
Das Verlustarme Trenchstop-Duo-Paket von Infineon ist eine Feld-Stop-Technologie mit weicher, schneller Erholungsdiode mit antiparallelem Emitter-gesteuerter HE-Diode. Es handelt sich um einen Hard-Switching 600 V, 10 A Trench-Stop IGBT3, der mit einer vollen Freilaufdiode in einem TO220-Gehäuse verpackt ist und aufgrund der Kombination aus Trench-Zelle und Feld-Stop-Konzept zu einer erheblichen Verbesserung der statischen sowie dynamischen Leistung des Geräts führt.
Höchster Wirkungsgrad und geringe Leitungs- und Schaltverluste
Umfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für Flexibilität des Designs
Hohe Gerätezuverlässigkeit
Geringe elektromagnetische Störungen
Umfassendes Portfolio in 600 V und 1200 V für Flexibilität des Designs
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