Infineon IGBT 35,7 W PG-TO220-3
- RS Best.-Nr.:
- 258-0994
- Herst. Teile-Nr.:
- IKA15N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.481 | CHF.73.97 |
| 100 - 200 | CHF.1.271 | CHF.63.63 |
| 250 - 450 | CHF.1.197 | CHF.59.90 |
| 500 - 950 | CHF.1.113 | CHF.55.49 |
| 1000 + | CHF.1.05 | CHF.52.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0994
- Herst. Teile-Nr.:
- IKA15N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Verlustleistung max. | 35,7 W | |
| Gehäusegröße | PG-TO220-3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Verlustleistung max. 35,7 W | ||
Gehäusegröße PG-TO220-3 | ||
Die hartschaltbare 600-V-, 15-A-TRENCHSTOP IGBT3-Discrete von Infineon mit voller externer Freilaufdiode in einem TO-220-Full-Pak-Gehäuse führt zu einer erheblichen Verbesserung der statischen sowie der dynamischen Leistung des Geräts aufgrund der Kombination aus Trennzellen- und Feld-Stopp-Konzept. Die Kombination von IGBT mit Soft Recovery-Emitter-gesteuerter Diode minimiert die Einschaltverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht.
Sehr weiche, schnelle Erholung, antiparallele, emittergesteuerte Diode
Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
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