Infineon IGBT / 15 A, 600 V 35.7 W TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 258-0995
- Herst. Teile-Nr.:
- IKA15N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.1.869 | CHF.3.74 |
| 20 - 48 | CHF.1.677 | CHF.3.35 |
| 50 - 98 | CHF.1.576 | CHF.3.16 |
| 100 - 198 | CHF.1.475 | CHF.2.96 |
| 200 + | CHF.1.364 | CHF.2.73 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0995
- Herst. Teile-Nr.:
- IKA15N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 15A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35.7W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC1 | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 15A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35.7W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC1 | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die hartschaltbare 600-V-, 15-A-TRENCHSTOP IGBT3-Discrete von Infineon mit voller externer Freilaufdiode in einem TO-220-Full-Pak-Gehäuse führt zu einer erheblichen Verbesserung der statischen sowie der dynamischen Leistung des Geräts aufgrund der Kombination aus Trennzellen- und Feld-Stopp-Konzept. Die Kombination von IGBT mit Soft Recovery-Emitter-gesteuerter Diode minimiert die Einschaltverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht.
Sehr weiche, schnelle Erholung, antiparallele, emittergesteuerte Diode
Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
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