Infineon IGBT / 24 A, 600 V 110 W, 3-Pin TO-220 Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 258-0984
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP10N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 0.768 | CHF 38.58 |
| 100 - 200 | CHF 0.616 | CHF 30.91 |
| 250 - 450 | CHF 0.586 | CHF 29.34 |
| 500 - 950 | CHF 0.556 | CHF 27.78 |
| 1000 + | CHF 0.535 | CHF 26.66 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0984
- Herst. Teile-Nr.:
- IGP10N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 24A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 110W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 29.95mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Serie | TRENCHSTOPTM | |
| Breite | 10.36mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 24A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 110W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 29.95mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Serie TRENCHSTOPTM | ||
Breite 10.36mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon Hard-Switching 600 V, 10 A einzelne TRENCHSTOP IGBT3 in einem TO220-Gehäuse führt zu einer erheblichen Verbesserung der statischen sowie der dynamischen Leistung des Geräts, dank der Kombination aus Trennzellen- und Feld-Stopp-Konzept. Die Kombination von IGBT mit Soft Recovery-Emitter-gesteuerter Diode minimiert die Einschaltverluste weiter. Der höchste Wirkungsgrad wird durch den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten erreicht.
Hohe Robustheit, temperaturstabiles Verhalten
Geringe elektromagnetische Störungen
Niedrige Gate-Ladung
Sehr enge Parameterverteilung
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