Infineon IGBT / 41 A ±20V max. , 600 V 166 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 170-2258
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP20N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.102.90
Auf Lager
- Zusätzlich 2’450 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.2.058 | CHF.102.85 |
| 100 - 200 | CHF.1.848 | CHF.92.61 |
| 250 + | CHF.1.754 | CHF.87.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 170-2258
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP20N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 41 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 166 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Nennleistung | 0.77mJ | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 41 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 166 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Nennleistung 0.77mJ | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Infineon IGBT
Der Infineon IGBT ist ein 3-poliger N-Kanal TO-220-Transistor für Durchgangsbohrungen. Er hat einen Nennstrom von 41 A und eine Nennspannung von 600 V, 3. Generation, verpolungssicherer IGBT, optimiert für geringere Schalt- und Leitungsverluste. Sein weiches Schaltverhalten ermöglicht eine bessere Leistung und ein besseres EMI-Verhalten. Mit Hilfe dieses Transistors kann eine ausgezeichnete Leistung bei niedrigeren Kosten erreicht werden.
Eigenschaften und Vorteile
• Kosteneffizient
• Hohe Effizienz
• Geringe EMI-Emissionen
• Geringe Schaltverluste
• niedrigster V ce (sat)-Abfall für geringere Leitungsverluste
• Die maximale Verlustleistung beträgt 166 W
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 175 °C.
• Reduzierte Verlustleistung
• Überspannungsfestigkeit
• Sehr weiche, schnell wiederherstellende, antiparallele Emitter-gesteuerte Diode
• Hohe Effizienz
• Geringe EMI-Emissionen
• Geringe Schaltverluste
• niedrigster V ce (sat)-Abfall für geringere Leitungsverluste
• Die maximale Verlustleistung beträgt 166 W
• Betriebstemperaturbereiche zwischen -40 °C und 175 °C.
• Reduzierte Verlustleistung
• Überspannungsfestigkeit
• Sehr weiche, schnell wiederherstellende, antiparallele Emitter-gesteuerte Diode
Anwendungen
• Haushaltsgeräte
• Induktionskochöfen
• Industrielle Antriebe
• Mikrowellenherde
• Reiskocher
• UPS
• Schweißgeräte
• Induktionskochöfen
• Industrielle Antriebe
• Mikrowellenherde
• Reiskocher
• UPS
• Schweißgeräte
Zertifizierungen
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• BS EN 61340-5-1:2007
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 41 A ±20V max. , 600 V 166 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 41 A ±20V max., 600 V 166 W, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 41 A +/-20V max. , 600 V 166 W, 3-Pin PG-TO263-3
- Infineon IGBT / 26 A 20V max. , 600 V 130 W TO-220-3
- Infineon IGBT / 40 A ±20V max., 600 V 166 W, 3-Pin PG-TO247-3
- Infineon IGBT / 40 A +/-20V max. , 600 V 170 W, 3-Pin PG-TO-220-3
- Infineon IGBT / 8 A +/-20V max. , 600 V 42 W, 3-Pin PG-TO-220-3
- Infineon IGBT-Transistormodul / 24 A ±20V max. Triple, 600 V 110 W PG-TO-220-3