Infineon IGBT / 26 A ±20V max., 600 V 130 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.48.85

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 800 Einheit(en) mit Versand ab 29. Dezember 2025
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.0.977CHF.48.98
100 - 200CHF.0.84CHF.41.90
250 - 450CHF.0.819CHF.40.79
500 - 950CHF.0.798CHF.39.74
1000 +CHF.0.777CHF.38.80

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
145-8596
Herst. Teile-Nr.:
IKP15N60TXKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

26 A

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

130 W

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Transistor-Konfiguration

Einfach

Abmessungen

10.36 x 4.57 x 15.95mm

Nennleistung

0.81mJ

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Gate-Kapazität

860pF

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Ursprungsland:
MY

Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V


Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.

• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links