Infineon IGBT / 12 A, 600 V 88 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 110-7169
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP06N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.10.50
Auf Lager
- 70 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 270 Einheit(en) mit Versand ab 23. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.05 | CHF.10.56 |
| 50 - 90 | CHF.1.00 | CHF.10.02 |
| 100 - 240 | CHF.0.96 | CHF.9.62 |
| 250 - 490 | CHF.0.919 | CHF.9.19 |
| 500 + | CHF.0.859 | CHF.8.56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-7169
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP06N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 12A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 88W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.05V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Energie | 0.335mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 12A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 88W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.05V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Energie 0.335mJ | ||
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 12 A, 600 V 88 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 12 A, 600 V 88 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Oberfläche
- STMicroelectronics IGBT / 10 A, 600 V 88 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 12 A, 600 V 88 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 26 A, 600 V 130 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 41 A, 600 V 166 W, 3-Pin TO-220 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT-Einzel-Transistor-IC / 12 A, 600 V 88 W, 3-Pin TO-252 Typ N-Kanal Oberfläche
- Infineon IGBT / 34 A, 600 V 100 W TO-263 Typ N-Kanal