Infineon IGBT / 6 A ±20V max., 600 V 88 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 110-7169
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP06N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.8.51
Vorübergehend ausverkauft
- 350 Einheit(en) mit Versand ab 10. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.851 | CHF.8.55 |
| 50 - 90 | CHF.0.809 | CHF.8.12 |
| 100 - 240 | CHF.0.777 | CHF.7.77 |
| 250 - 490 | CHF.0.746 | CHF.7.43 |
| 500 + | CHF.0.693 | CHF.6.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-7169
- Herst. Teile-Nr.:
- IKP06N60TXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 6 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 88 W | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Abmessungen | 10.36 x 4.57 x 15.95mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Gate-Kapazität | 368pF | |
| Nennleistung | 0.335mJ | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 6 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 88 W | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Abmessungen 10.36 x 4.57 x 15.95mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Gate-Kapazität 368pF | ||
Nennleistung 0.335mJ | ||
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V
Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode.
• Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
• Sehr geringer VCEsat
• Niedrige Abschaltverluste
• Kurzer Deaktivierungsstrom
• Geringe elektromagnetische Störungen
• Maximale Verbindungstemperatur 175°C
IGBT, diskrete Bauteile und Module, Infineon
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 6 A ±20V max., 600 V 88 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 1899-12-31 06:00:00 ±20V max. , 600 V 88 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- STMicroelectronics IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 88 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 12 A 20V max. , 600 V 88 W, 3-Pin PG-TO252 N-Kanal
- Infineon IGBT / 26 A ±20V max., 600 V 130 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 41 A ±20V max. , 600 V 166 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon IGBT / 1899-12-31 06:00:00 ±20V max. , 600 V 88 W, 3-Pin TO-263 N-Kanal
- Infineon IGBT / 26 A 20V max. , 600 V 130 W TO-220-3