Infineon IGBT / 12 A, 600 V 88 W, 3-Pin TO-263 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 273-2968
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB06N60TATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF.1.827 | CHF.3.65 |
| 50 - 98 | CHF.1.544 | CHF.3.09 |
| 100 - 248 | CHF.1.208 | CHF.2.42 |
| 250 - 498 | CHF.1.113 | CHF.2.23 |
| 500 + | CHF.1.05 | CHF.2.10 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2968
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB06N60TATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 12A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 88W | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.05V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | TrenchStop | |
| Breite | 10.31 mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022 | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 9.45mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 12A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 88W | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.05V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie TrenchStop | ||
Breite 10.31 mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-free lead plating, J-STD-020, RoHS, JEDEC, JESD-022 | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 9.45mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IGBT3, die mit einer vollen Freilaufdiode in einem TO263 D2Pak-Gehäuse komprimiert ist, führt aufgrund der Kombination aus Trennzellen- und Feldkonzept zu einer erheblichen Verbesserung der statischen sowie der dynamischen Leistung des Geräts. Die Kombination aus
Hohe Robustheit und temperaturstabiles Verhalten
Sehr enge Parameterverteilung
Hohe Gerätesicherheit