Infineon IGBT / 1899-12-31 06:00:00 ±20V max. , 600 V 88 W, 3-Pin TO-263 N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 273-2966
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB06N60TATMA1
- Marke:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
CHF.567.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 18. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | CHF.0.567 | CHF.571.20 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-2966
- Herst. Teile-Nr.:
- IKB06N60TATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 1899-12-31 06:00:00 | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 88 W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 1899-12-31 06:00:00 | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 88 W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Die Infineon IGBT3, die mit einer vollen Freilaufdiode in einem TO263 D2Pak-Gehäuse komprimiert ist, führt aufgrund der Kombination aus Trennzellen- und Feldkonzept zu einer erheblichen Verbesserung der statischen sowie der dynamischen Leistung des Geräts. Die Kombination aus
Hohe Robustheit und temperaturstabiles Verhalten
Sehr enge Parameterverteilung
Hohe Gerätesicherheit
Sehr enge Parameterverteilung
Hohe Gerätesicherheit
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 1899-12-31 06:00:00 ±20V max. , 600 V 88 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal
- Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 1899-12-31 06:00:00, 3-Pin SOT223
- Infineon N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 1899-12-31 06:00:00, 3-Pin TO-252
- Infineon N-Kanal, THT MOSFET 950 V / 1899-12-31 09:00:00, 3-Pin TO-251
- Infineon IGBT
- Infineon IGBT / 30 A 20V max. , 600 V 110 W TO-263-3
- STMicroelectronics IGBT / 50 A ±20V max. , 650 V 167 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Legris 7630 7630 06 00
