Infineon IGBT-Modul, 600 V 175 W

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244-5401
Herst. Teile-Nr.:
FP50R06W2E3BOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

175W

Anzahl an Transistoren

7

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Serie

FP50R06W2E3B

Höhe

12mm

Breite

42.5 mm

Länge

51mm

Automobilstandard

Nein

Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Klimaanlagen usw. geeignet

Elektrische Eigenschaften

Niedrige Schaltverluste

Trench-IGBT 3

VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient

Geringe VCEsat

Mechanische Eigenschaften

Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand

Kompaktes Design

Lötkontakttechnologie

Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen

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