Infineon IGBT-Modul / 65 A +/-20V max. 7-fach, 600 V 175 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5399
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R06W2E3BOMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | CHF.40.488 | CHF.607.34 |
| 30 + | CHF.38.462 | CHF.576.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-5399
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R06W2E3BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 65 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V | |
| Verlustleistung max. | 175 W | |
| Anzahl an Transistoren | 7 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 65 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. +/-20V | ||
Verlustleistung max. 175 W | ||
Anzahl an Transistoren 7 | ||
Das Infineon IGBT-Modul ist für Hilfswechselrichter, Motorantriebe und Klimaanlagen usw. geeignet
Elektrische Eigenschaften
Niedrige Schaltverluste
Trench-IGBT 3
VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient
Geringe VCEsat
Mechanische Eigenschaften
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Kompaktes Design
Lötkontakttechnologie
Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen
Niedrige Schaltverluste
Trench-IGBT 3
VCEsat mit positivem Temperaturkoeffizient
Geringe VCEsat
Mechanische Eigenschaften
Al2O3-Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand
Kompaktes Design
Lötkontakttechnologie
Robuste Montage durch integrierte Montageklemmen
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