Infineon IGBT-Modul / 200 A ±20V max. 6-fach, 600 V 600 W EconoPACK
- RS Best.-Nr.:
- 244-5863
- Herst. Teile-Nr.:
- FS200R06KE3BOSA1
- Marke:
- Infineon
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CHF.1’286.25
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|---|---|---|
| 10 + | CHF.128.625 | CHF.1’286.26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-5863
- Herst. Teile-Nr.:
- FS200R06KE3BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 200 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 600 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Verlustleistung max. | 600 W | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Gehäusegröße | EconoPACK | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 200 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 600 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Verlustleistung max. 600 W | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Gehäusegröße EconoPACK | ||
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 600 V and toatal power dissipation is 600 W, maximum gate threshold voltage is 6,5 V.
Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 1,90 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 1,90 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
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