Infineon IGBT-Modul / 200 A, 600 V 600 W EconoPACK
- RS Best.-Nr.:
- 244-5863
- Herst. Teile-Nr.:
- FS200R06KE3BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 244-5863
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- FS200R06KE3BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 200A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 600W | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Gehäusegröße | EconoPACK | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | FS200R06KE3 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 200A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 600W | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Gehäusegröße EconoPACK | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie FS200R06KE3 | ||
Automobilstandard Nein | ||
The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 600 V and toatal power dissipation is 600 W, maximum gate threshold voltage is 6,5 V.
Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 1,90 V
Gate-emitter leakage current 400 nA
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