Infineon IGBT-Modul / 100 A, 600 V 335 W Modul Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-7390
- Herst. Teile-Nr.:
- FP100R06KE3BOSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7390
- Herst. Teile-Nr.:
- FP100R06KE3BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 100A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 335W | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 122mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61140, EN61140 | |
| Höhe | 20.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 100A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 335W | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 122mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61140, EN61140 | ||
Höhe 20.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons IGBT Modul verfügt über schnelle Trench und Field stop IGBT3, emittergesteuerte 3 Dioden und NTC. Dieses IGBT-Modul hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 600 V und einen DC-Kollektor-Dauerstrom von 100 A. Das Produkt verfügt über eine Bodenplatte aus Kupfer für eine optimale Wärmeverteilung.
Höchste Zuverlässigkeit
Hohe Leistungsdichte
Thermische Beständigkeit
Geringe Schaltverluste
Hohe Schaltfrequenz
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