Infineon IGBT-Modul / 69 A, 1200 V 335 W, 8-Pin Modul Panel

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RS Best.-Nr.:
273-7360
Herst. Teile-Nr.:
DDB6U75N16W1RBOMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

69A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

335W

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Panel

Pinanzahl

8

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.25V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

33.8 mm

Höhe

16.4mm

Normen/Zulassungen

IEC61140, EN61140

Länge

62.8mm

Automobilstandard

Nein

Infineons Diodenbrückenmodule mit Brems-Chopper und NTC für ein kompakteres Wandlerdesign. Das Produkt hat eine wiederholbare Spitzensperrspannung von 1600 V und einen maximalen RMS-Vorwärtsstrom von 65 A pro Chip.

Wärmewiderstand

Interne Isolierung aus Al2O3

Gesamtverlustleistung 335 W

15 A kontinuierlicher DC-Durchlassstrom

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