Teile-Nr.

Infineon IGBT-Modul / 650 A +/-20V max., 150 V 335 W Modul

RS Best.-Nr.:: 273-7365
Herst. Teile-Nr.:: F3L150R07W2E3B11BOMA1
Marke:: Infineon

Infineon IGBT-Modul / 650 A +/-20V max., 150 V 335 W Modul

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RS Best.-Nr.:: 273-7365
Herst. Teile-Nr.:: F3L150R07W2E3B11BOMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max.	650 A
	Kollektor-Emitter-Spannung	150 V
	Gate-Source Spannung max.	+/-20V
	Verlustleistung max.	335 W
	Gehäusegröße	Modul
	Montage-Typ	Tafelmontage

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Dauer-Kollektorstrom max. 650 A
	Kollektor-Emitter-Spannung 150 V
	Gate-Source Spannung max. +/-20V
	Verlustleistung max. 335 W
	Gehäusegröße Modul
	Montage-Typ Tafelmontage

Datasheet - F3L150R07W2E3B11BOMA1

Infineons IGBT-Modul hat 650 V VCES, 150 A kontinuierlichen DC-Kollektorstrom 3 Level Phase Leg IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 Diode, NTC und Press FIT Contact Technology. Dieses IGBT-Modul erhöht die Sperrspannungsfähigkeit auf 650 V und ist mit einem Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand erhältlich.

Niedriger VCEsat
Kompakte Bauweise
Robuste Montage
Niedrige induktive Bauweise
Niedrige Schaltverluste

Infineon IGBT-Modul / 650 A +/-20V max., 150 V 335 W Modul

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