Infineon IGBT-Modul / 117 A +/-20V max., 650 V 300 W Modul
- RS Best.-Nr.:
- 273-7363
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | CHF.89.07 |
| 5 - 9 | CHF.87.30 |
| 10 - 99 | CHF.81.00 |
| 100 - 249 | CHF.74.24 |
| 250 + | CHF.68.53 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 273-7363
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 117 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | +/-20V | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montage-Typ | Tafelmontage | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 117 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. +/-20V | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montage-Typ Tafelmontage | ||
Infineons IGBT-Modul hat 650 V VCES, 100 A kontinuierlichen DC-Kollektorstrom 3 Level Phase Leg IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 Diode, NTC und Press FIT Contact Technology. Dieses IGBT-Modul erhöht die Sperrspannungsfähigkeit auf 650 V und ist mit einem Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand erhältlich.
Niedriger VCEsat
Kompakte Bauweise
Robuste Montage
Niedrige induktive Bauweise
Niedrige Schaltverluste
Kompakte Bauweise
Robuste Montage
Niedrige induktive Bauweise
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