Infineon IGBT-Modul / 117 A, 650 V 300 W Modul Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-7362
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7362
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 117A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | UL (E83335) | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Länge | 62.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 117A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen UL (E83335) | ||
Höhe 16.4mm | ||
Länge 62.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineons IGBT-Modul hat 650 V VCES, 100 A kontinuierlichen DC-Kollektorstrom 3 Level Phase Leg IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT3, Emitter Controlled 3 Diode, NTC und Press FIT Contact Technology. Dieses IGBT-Modul erhöht die Sperrspannungsfähigkeit auf 650 V und ist mit einem Al2O3-Substrat mit geringem Wärmewiderstand erhältlich.
Niedriger VCEsat
Kompakte Bauweise
Robuste Montage
Niedrige induktive Bauweise
Niedrige Schaltverluste
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