Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 280 W Modul Panel
- RS Best.-Nr.:
- 273-7403
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R12KT3BOSA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
| 1 - 4 | CHF.133.48 |
| 5 - 9 | CHF.130.82 |
| 10 - 99 | CHF.121.33 |
| 100 - 249 | CHF.111.19 |
| 250 + | CHF.102.65 |
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- RS Best.-Nr.:
- 273-7403
- Herst. Teile-Nr.:
- FP50R12KT3BOSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 75A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 280W | |
| Gehäusegröße | Modul | |
| Montageart | Panel | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.15V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 122mm | |
| Breite | 62 mm | |
| Normen/Zulassungen | EN61140, IEC61140 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 75A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 280W | ||
Gehäusegröße Modul | ||
Montageart Panel | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.15V | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 122mm | ||
Breite 62 mm | ||
Normen/Zulassungen EN61140, IEC61140 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 50 A. Es verfügt über eine Grundplatte aus Kupfer für eine optimierte Wärmeverteilung und eine Modulkonstruktion mit geringer Streuinduktivität. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3 und NTC erhältlich.
Thermischer Widerstand
Hohe Zuverlässigkeit
Hohe Leistungsdichte
Geringe Schaltverluste
Kompaktes Modulkonzept
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