Infineon IGBT-Modul / 75 A, 1200 V 280 W Modul Panel

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RS Best.-Nr.:
273-7403
Herst. Teile-Nr.:
FP50R12KT3BOSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT-Modul

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

75A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

280W

Gehäusegröße

Modul

Montageart

Panel

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.15V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Normen/Zulassungen

EN61140, IEC61140

Länge

122mm

Breite

62 mm

Automobilstandard

Nein

Das IGBT-Modul von Infineon hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen kontinuierlichen DC-Kollektorstrom von 50 A. Es verfügt über eine Grundplatte aus Kupfer für eine optimierte Wärmeverteilung und eine Modulkonstruktion mit geringer Streuinduktivität. Dieses IGBT-Modul ist mit schnellem TRENCHSTOP IGBT3 und NTC erhältlich.

Thermischer Widerstand

Hohe Zuverlässigkeit

Hohe Leistungsdichte

Geringe Schaltverluste

Kompaktes Modulkonzept

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